讲座主题：横向多孔GaN基半导体及光电器件研究
专家姓名：赵丽霞
工作单位：天津工业大学
讲座时间：2026年05月23日 14:30-16:00
讲座地点：科技馆1511
主办单位：烟台大学物理与电子信息学院
内容摘要：
GaN基半导体具有电子迁移率高，化学稳定性好和抗辐照能力强等优异特性，在微电和光电领域具有重要应用。GaN多孔化后比表面积增大且有效折射率可调，孔道和孔壁还存在纳米尺度和界面效应，这将极大拓展GaN的应用方向。本次报告，将介绍我们在横向多孔GaN基半导体可控制备及利用该横向多孔GaN材料在发光、探测、光催化产氢、激光器等方面的研究进展。不仅如此，随着人工智能的迅速发展，未来GaN 基半导体将进一步光电融合，在具身智能、脑机接口、AI算力等领域具有巨大的发展机遇和挑战。
主讲人介绍：
赵丽霞教授，博士生导师，天津工业大学二级教授/天津市电气装备智能控制重点实验室主任，教育部国家级重大人才工程入选者。2005年于英国诺丁汉大学物理天文学院获哲学博士学位，随后在英国剑桥大学材料冶金学院、英国FORGE-EUROPA，中国科学院半导体研究所工作，2020年加入天津工业大学。长期从事宽禁带GaN基半导体研究，主持国家及省部级项目18项，发表SCI论文160余篇，获授权发明专利30件，制定5项国家标准和1项国际标准。入选中科院第一届引进杰出技术人才计划，是中科院青年创新促进会首批会员，先后获中国电子学会优秀科技工作者，天津市中青年科技创新领军人才及天津市有突出贡献专家等荣誉称号。目前是教育部电气类专业教指委委员，国际标准化组织ISO/TC201委员、全国表面化学分析标委会及中国物理、电子学会等多个专业技术委员会的委员。
